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Epitassia a fascio molecolare (MBE) è un processo per la coltivazione di sottili film epitassiali di un'ampia varietà di materiali, che vanno da ossidi semiconduttori ai metalli. Esso è stato applicato prima alla crescita di semiconduttori composti. Che è ancora la più comune utilizzo, in gran parte a causa dell'elevato valore tecnologico di tali materiali per l'industria elettronica. In questo processo fasci di atomi o molecole in un ambiente ultra alto vuoto sono incidenti su un cristallo riscaldato precedentemente elaborati per produrre una superficie quasi atomicamente pulita. Gli atomi costituenti vantaggiose formano uno strato cristallino in registro con il substrato, cioè, un film epitassiale. Queste pellicole sono notevoli, perché la composizione può essere rapidamente modificata, producendo interfacce cristallini che sono quasi atomicamente brusco. Così, è stato possibile produrre una vasta gamma di strutture uniche, tra cui dispositivi a pozzo quantico, superreticoli, laser, ecc, tutte beneficiano il controllo preciso della composizione durante la crescita. A causa della pulizia dell'ambiente di crescita e per il controllo preciso sulla composizione, strutture MBE molto vicini a modelli idealizzati utilizzati in discussione allo stato solido theory.This è inteso come introduzione al concetto e alle procedure sperimentali utilizzate nella crescita MBE. Il perfezionamento delle procedure sperimentali è stata la chiave del successo fabbricazione di dispositivi elettronici significativi, che a sua volta ha generato l'interesse diffuso nel MBE come strumento di Scarpe Blazer ricerca. MBE esperimenti hanno fornito una grande quantità di nuove informazioni che porta sui meccanismi generali coinvolti nella crescita epitassiale, dal momento che molti dei fenomeni osservati inizialmente durante MBE sono stati dal ripetuto con altri processi di crescita dei cristalli. Abbiamo Nike Blazer Borchie Milano anche Riassumiamo i tipi generali di strutture stratificate che hanno contribuito alla rapida espansione di interesse per MBE e le sue varie diramazioni. Infine consideriamo alcuni dei problemi che rimangono nella crescita di strutture eteroepitassiali, in particolare, il problema della mancata corrispondenza costante reticolare tra gli strati e tra lo strato ed il substrato. La discussione è fenomenologico, non teorica; MBE è stata in primo luogo un approccio sperimentale basato su concetti semplici.
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